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重要信号释放,产业链自主可控进入攻关阶段!

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如今来看,西方对华先进逻辑和存储器的光刻设备限制已经蔓延至非先进制程。



光刻机被禁?
当地时间3月8日,荷兰政府以“国家安全”为由,宣布将对包括“最先进的”深紫外光刻机(DUV)在内的特定半导体制造设备实施新的出口管制。
这意味着,荷兰方面已将光刻机出口管制的范围,由极紫外光刻机(EUV)扩大到了DUV。
由于DUV仍占很大出货比重,荷兰光刻机巨头ASML很快发布声明,(本次出口限制)重要的是要考虑到额外的出口管制并不适用于所有浸没式光刻工具,而仅适用于所谓的“最先进”工具

ASML官网截图
尽管 ASML 尚未收到有关“最先进”确切定义的任何其他信息,但 ASML将其解释为“关键浸没”,ASML将其定义为TWINSCAN NXT:2000i和后续浸没系统

图:ASML的DUV次旗舰NXT:2000i
一般来说,ArF浸没式光刻机可用于7nm至38nm节点的曝光应用,修改后的型号是最先进可支持7nm工艺曝光的DUV系统。此外,而干式ArF系统可以满足65nm及以上成熟工艺的曝光需求。
而本次提及的ASML已经大规模量产的DUV次旗舰NXT:2000i正是满足38nm以下非先进节点需求的型号,也被认为是晶圆厂可以借助非EUV突破至7nm逻辑工艺的核心设备。
2020年底,中芯国际联席CEO梁孟松称,中芯国际的28nm、14nm、12nm及N+1等技术均已进入规模量产,7nm技术的开发也已经完成,2021年进入风险量产。随后有媒体报道,少量客户拿到其量产的7nm芯片,可能采用先进DUV系统来完成,但未获证实。

图:存储主控、MCU等已使用40nm节点
如今来看,西方对华先进逻辑和存储器的光刻设备限制已经蔓延至非先进制程。
理论上,如果接下来管制继续扩大至全部DUV系统,中国大陆的晶圆厂将失去三大DUV系统——KrF、dry ArF和ArFi的支持,可能不得不退回到40/45nm一代。

所以这次限制意味着:

1. 以后涉及7nm及7nm以上的先进制程的光刻机,就不能从阿斯麦进口了,也就意味着后面7nm光刻机进口完全切断;

2. 光刻机是芯片制造的关键设备,国产光刻机目前最多到28nm左右,所以7nm光刻机的进口切断也就意味着我们28nm成熟制程包括14nm、10nm的发展都不受影响,但是7nm的发展将明显受限;

3. 7nm芯片目前已经广泛应用于智能手机、智能汽车(主控芯片)、人工智能、超算、通信基站等高科技领域,所以7nm发展的受限就意味着这些新兴科技领域的发展受限,甚至将来40nm以下的高端MCU也无法量产。

这次限制荷兰光刻机出口不是目的,限制我国的高科技领域发展才是最终目的。

并且值得注意的是,光刻机只是其中一个环节,美国自去年建立芯片联盟之后,就一直撺掇日本、韩国进行进一步限制。比如,近日有媒体报道称日本某光刻胶大厂已经执行美国“实体清单”的限制要求,对中国大陆某存储晶圆厂断供了KrF光刻胶,所以芯片产业链自主可控、国产替代这块是不能掉以轻心的。

芯片是一切科技发展的底层基础,芯片不能突围的话,人工智能、智能汽车、6G这些高科技方向都是空中楼阁。

3月7日,国务院机构改革最新方案提出重新组建科学技术部,并强调“加强科学技术部推动健全新型举国体制、优化科技创新全链条管理、促进科技成果转化”这是自主可控进入攻关阶段最强烈的信号。

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本文作者2023-3-16 08:51
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